France – Machines et appareils microélectroniques – Equipement de dépôt LPCVD
Résumé IA
Cet appel d'offres porte sur l'acquisition d'un système LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur basse pression) compact pour la recherche en microélectronique avancée. L'équipement doit traiter automatiquement des plaquettes de 300 mm et réaliser le dépôt de silicium dopé ou non dopé pour le développement de technologies SOI à 10 nm et au-delà.
Les fournisseurs doivent être des fabricants spécialisés d'équipements de dépôt semiconducteur ayant une expertise confirmée en systèmes LPCVD et traitement de plaquettes 300 mm.
Les fournisseurs doivent proposer un système LPCVD monotubes vertical capable de gérer automatiquement des plaquettes de 300 mm avec dépôt de silicium dopable. Le système doit respecter les spécifications pour le traitement semiconducteur avancé à l'échelle nanométrique.
Questions fréquentes
De quoi traite cet appel d'offres ?
Cet appel d'offres porte sur l'acquisition d'un système LPCVD (dépôt chimique en phase vapeur basse pression) compact pour la recherche en microélectronique avancée. L'équipement doit traiter automatiquement des plaquettes de 300 mm et réaliser le dépôt de silicium dopé ou non dopé pour le développement de technologies SOI à 10 nm et au-delà.
Quelles sont les exigences pour les fournisseurs ?
Les fournisseurs doivent proposer un système LPCVD monotubes vertical capable de gérer automatiquement des plaquettes de 300 mm avec dépôt de silicium dopable. Le système doit respecter les spécifications pour le traitement semiconducteur avancé à l'échelle nanométrique.
Quel type d'entreprise devrait soumissionner ?
Les fournisseurs doivent être des fabricants spécialisés d'équipements de dépôt semiconducteur ayant une expertise confirmée en systèmes LPCVD et traitement de plaquettes 300 mm.
Qui est l'acheteur ?
L'acheteur est COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Le CEA Grenoble pour ses activités de recherche visant à développer les technologies SOI d'un diamètre de 10 nm et au-delà, le CEA-LETI souhaite acquérir un système LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) compact basé sur un seul tube vertical. Ce système devra traiter automatiquement des plaquettes de 300 mm destiné au dépôt de silicium non dopé et dopé (avec du bore ou du phosphore).
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Equipement de dépôt LPCVD
Le CEA Grenoble pour ses activités de recherche visant à développer les technologies SOI d'un diamètre de 10 nm et au-delà, le CEA-LETI souhaite acquérir un système LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) compact basé sur un seul tube vertical. Ce système devra traiter automatiquement des plaquettes de 300 mm destiné au dépôt de silicium non dopé et dopé (avec du bore ou du phosphore).
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